首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1553678篇
  免费   27998篇
  国内免费   6964篇
电工技术   34448篇
综合类   6442篇
化学工业   265603篇
金属工艺   65095篇
机械仪表   43959篇
建筑科学   46779篇
矿业工程   11592篇
能源动力   50498篇
轻工业   117948篇
水利工程   15724篇
石油天然气   37016篇
武器工业   150篇
无线电   198225篇
一般工业技术   293439篇
冶金工业   194860篇
原子能技术   34292篇
自动化技术   172570篇
  2021年   15550篇
  2020年   12039篇
  2019年   14824篇
  2018年   17340篇
  2017年   16669篇
  2016年   22277篇
  2015年   17680篇
  2014年   28981篇
  2013年   88551篇
  2012年   37539篇
  2011年   51302篇
  2010年   44334篇
  2009年   52223篇
  2008年   47533篇
  2007年   44872篇
  2006年   46371篇
  2005年   41315篇
  2004年   43176篇
  2003年   42887篇
  2002年   41694篇
  2001年   38659篇
  2000年   36828篇
  1999年   36481篇
  1998年   54957篇
  1997年   44900篇
  1996年   36671篇
  1995年   32462篇
  1994年   30083篇
  1993年   30031篇
  1992年   26235篇
  1991年   23390篇
  1990年   23765篇
  1989年   22700篇
  1988年   21231篇
  1987年   19560篇
  1986年   18931篇
  1985年   22279篇
  1984年   22249篇
  1983年   20166篇
  1982年   19204篇
  1981年   19343篇
  1980年   17974篇
  1979年   18411篇
  1978年   17708篇
  1977年   17864篇
  1976年   19497篇
  1975年   15883篇
  1974年   15379篇
  1973年   15501篇
  1972年   13031篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 609 毫秒
21.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
22.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
23.
24.
Multimedia Tools and Applications - Recently, many concepts in technology has been changed. According to the digital transformation trends, Internet of Things (IoT) represents an interested...  相似文献   
25.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
26.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
27.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
28.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
29.
Forschung im Ingenieurwesen - Das Arbeitsmittel in Wärmepumpen unterliegt einer Vielzahl von Anforderungen, welche für einen effizienten und sicheren Betrieb eingehalten werden...  相似文献   
30.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号